DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 25A
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
FET Особенности：
-
Технология：
-
Рабочая температура：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Максимальная：
-
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
25A
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
32.3mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id：
5.15V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
74nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
2200pF @ 800V
