DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
FET Особенности：
-
Корпус：
Module
Мощность - Максимальная：
-
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Рабочая температура：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
45A
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Поставщик Устройство Корпус：
AG-EASY1B
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id：
5.15V @ 20mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
149nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
4400pF @ 800V
