F48MR12W2M1HPB76BPSA1
LOW POWER EASY
F48MR12W2M1HPB76BPSA1 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус：
-
Класс：
-
Квалификация：
-
Корпус：
Module
Рабочая температура：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация：
4 N-Channel (Full Bridge)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
75A
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
12mOhm @ 100A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id：
5.15V @ 40mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
297nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
8800pF @ 800V
FET Особенности：
Silicon Carbide (SiC)
Мощность - Максимальная：
20mW
