FF3MR20KM1HPHPSA1
MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
FF3MR20KM1HPHPSA1 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
FET Особенности：
-
Класс：
-
Квалификация：
-
Корпус：
Module
Мощность - Максимальная：
-
Рабочая температура：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация：
2 N-Channel (Half Bridge)
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
325A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id：
5.15V @ 224mA
Поставщик Устройство Корпус：
AG-62MMHB
Напряжение сток-исток (Vdss)：
2000V (2kV)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 400A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
1560nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
48200pF @ 1200V
