FF55MR12W1M1HB70BPSA1
EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE
FF55MR12W1M1HB70BPSA1 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус：
-
Класс：
-
Квалификация：
-
Корпус：
Module
Рабочая температура：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация：
2 N-Channel (Half Bridge)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
15A
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (макс.) при Id：
5.15V @ 6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
45nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
1350pF @ 800V
FET Особенности：
Silicon Carbide (SiC)
Мощность - Максимальная：
20mW
