IRF7303TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
IRF7303TRPBFXTMA1 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Корпус：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id：
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
25nC @ 10V
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
520pF @ 25V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
4.9A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 2.4A, 10V
Мощность - Максимальная：
2W (Ta)
Поставщик Устройство Корпус：
PG-DSO-8-902
