IRF7341TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
IRF7341TRPBFXTMA1 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Корпус：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id：
1V @ 250µA
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
FET Особенности：
Logic Level Gate
Напряжение сток-исток (Vdss)：
55V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
4.7A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 4.7A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
36nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
740pF @ 25V
Мощность - Максимальная：
2W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус：
PG-DSO-8-902
