IRF9956TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8DSO-902
IRF9956TRPBFXTMA1 Specifications
Статус детали：
Obsolete
Тип монтажа：
Surface Mount
Корпус：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id：
1V @ 250µA
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
30V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
3.5A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 2.2A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
14nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
190pF @ 15V
Мощность - Максимальная：
2W (Ta)
Поставщик Устройство Корпус：
PG-DSO-8-902
