F411MR12W3M1HB11BPSA1
F411MR12W3M1HB11BPSA1
F411MR12W3M1HB11BPSA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Chassis Mount
Supplier Device Package：
-
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Package / Case：
Module
Power - Max：
-
Operating Temperature：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
75A (Tj)
Technology：
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Configuration：
4 N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 30mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
223nC @ 18V
