FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Chassis Mount
Supplier Device Package：
-
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Package / Case：
Module
Operating Temperature：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max：
-
Technology：
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
149nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4400pF @ 800V
Configuration：
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
