F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Chassis Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Package / Case：
Module
Operating Temperature：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max：
-
Supplier Device Package：
Module
Configuration：
4 N-Channel (Full Bridge)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
35A
Drain to Source Voltage (Vdss)：
650V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
39.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.45V @ 1.74mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
141nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6950pF @ 400V
