FF4MR12W2M1HB11BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Chassis Mount
FET Feature：
-
Package / Case：
Module
Power - Max：
-
Supplier Device Package：
Module
Operating Temperature：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Half Bridge)
Technology：
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 80mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
594nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
17600pF @ 800V
