FF6MR12KM1BOSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
FF6MR12KM1BOSA1 Specifications
Part Status：
Obsolete
Mounting Type：
Chassis Mount
FET Feature：
-
Package / Case：
Module
Operating Temperature：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max：
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
250A (Tc)
Configuration：
2 N-Channel (Half Bridge)
Technology：
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
496nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
14700pF @ 800V
Supplier Device Package：
AG-62MM
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
5.81mOhm @ 250A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 80mA
