IAUCN10S5L094DATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
IAUCN10S5L094DATMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
Automotive
Qualification：
AEC-Q101
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100V
Package / Case：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 35µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
66A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2180pF @ 50V
Power - Max：
96W (Tc)
Supplier Device Package：
PG-TDSON-8-60
