IRF7341TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
IRF7341TRPBFXTMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
Package / Case：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
FET Feature：
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)：
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
740pF @ 25V
Power - Max：
2W (Tc)
Supplier Device Package：
PG-DSO-8-902
