DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Potencia - Máx：
-
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuración：
4 N-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
50A (Tj)
Proveedor Dispositivo Paquete：
AG-EASY3B
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
2000V (2kV)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
26.5mOhm @ 60A, 18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.15V @ 34mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
234nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
7240pF @ 1.2kV
