FF1MR12MM1HPB11BPSA1
FF1MR12MM1HPB11BPSA1
FF1MR12MM1HPB11BPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Potencia - Máx：
-
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuración：
2 N-Channel (Half Bridge)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Proveedor Dispositivo Paquete：
AG-ECONOD
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.15V @ 224mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
1600nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
48400pF @ 800V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
1.91mOhm @ 500A, 18V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
470A (Tj)
