F411MR12W3M1HB11BPSA1
F411MR12W3M1HB11BPSA1
F411MR12W3M1HB11BPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Potencia - Máx：
-
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
75A (Tj)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Configuración：
4 N-Channel
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
6600pF @ 800V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 75A, 18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.15V @ 30mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
223nC @ 18V
