DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Potencia - Máx：
-
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
45A
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Proveedor Dispositivo Paquete：
AG-EASY1B
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.15V @ 20mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
149nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
4400pF @ 800V
