F433MR12W1M1HB76BPSA1
LOW POWER EASY
F433MR12W1M1HB76BPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Potencia - Máx：
-
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
25A
Configuración：
4 N-Channel
FET Característica：
Silicon Carbide (SiC)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
32.3mOhm @ 25A, 18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.15V @ 10mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
74nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
2200pF @ 800V
