F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Potencia - Máx：
-
Proveedor Dispositivo Paquete：
Module
Configuración：
4 N-Channel (Full Bridge)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
35A
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
650V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
39.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
4.45V @ 1.74mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
141nC @ 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
6950pF @ 400V
