F445MR12W1M1B76BPSA1
MOSFET 4N-CH 1200V 25A AG-EASY1B
F445MR12W1M1B76BPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Potencia - Máx：
-
Configuración：
4 N-Channel (Full Bridge)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
25A (Tj)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
45mOhm @ 25A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.55V @ 10mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
62nC @ 15V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
1840pF @ 800V
Proveedor Dispositivo Paquete：
AG-EASY1B-2
