FF4MR12W2M1HB11BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Potencia - Máx：
-
Proveedor Dispositivo Paquete：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuración：
2 N-Channel (Half Bridge)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.15V @ 80mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
170A (Tj)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 200A, 18V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
594nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
17600pF @ 800V
