FF4MR20KM1HHPSA1
MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
FF4MR20KM1HHPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Potencia - Máx：
-
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
280A (Tc)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.15V @ 168mA
Proveedor Dispositivo Paquete：
AG-62MMHB
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
2000V (2kV)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
5.3mOhm @ 300A, 18V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
1170nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
36100pF @ 1.2kV
