FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Potencia - Máx：
-
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
100A (Tj)
Proveedor Dispositivo Paquete：
AG-EASY1B
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.15V @ 40mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
297nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
8800pF @ 800V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
8.1mOhm @ 100A, 18V
