FS03MR12A6MA1BBPSA1
MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
FS03MR12A6MA1BBPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Potencia - Máx：
-
Configuración：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Proveedor Dispositivo Paquete：
AG-HYBRIDD-2
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
3.7mOhm @ 400A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.55V @ 240mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
1320nC @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
400A (Tj)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
42500pF @ 600V
