FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
MOSFET
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Potencia - Máx：
-
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
50A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.15V @ 28mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
200nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
6050pF @ 800V
FET Característica：
Silicon Carbide (SiC)
Configuración：
6 N-Channel
