IMSQ120R012M2HHXUMA1
SIC DISCRETE
IMSQ120R012M2HHXUMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
-
Calificación：
-
Configuración：
2 N-Channel (Half Bridge)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.1V @ 17.8mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
12mOhm @ 57A, 18V
