IPG20N04S409AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
IPG20N04S409AATMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
Automotive
Calificación：
AEC-Q101
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
20A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
40V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
28nC @ 10V
Paquete / Carcasa：
8-PowerVDFN
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-TDSON-8-4
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
2250pF @ 25V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
8.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
4V @ 22µA
Potencia - Máx：
54W (Tc)
