IPG20N06S2L65AAUMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
IPG20N06S2L65AAUMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
20A (Tc)
FET Característica：
Logic Level Gate
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
12nC @ 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
55V
Paquete / Carcasa：
8-PowerVDFN
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2V @ 14µA
Tipo de Montaje：
Surface Mount, Wettable Flank
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
65mOhm @ 15A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
410pF @ 25V
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-TDSON-8-10
Potencia - Máx：
43W (Tc)
