IRF7341TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
IRF7341TRPBFXTMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Paquete / Carcasa：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
1V @ 250µA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
FET Característica：
Logic Level Gate
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
55V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
4.7A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 4.7A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
36nC @ 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
740pF @ 25V
Potencia - Máx：
2W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-DSO-8-902
