IRF8910TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
IRF8910TRPBFXTMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Paquete / Carcasa：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
20V
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
10A (Ta)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.55V @ 250µA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
13.4mOhm @ 10A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
11nC @ 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
960pF @ 10V
Potencia - Máx：
2W (Ta)
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-DSO-8-902
