AIMDQ75R025M2HXTMA1
AIMDQ75R025M2HXTMA1
AIMDQ75R025M2HXTMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
Automotive
Qualification：
AEC-Q101
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)：
272W (Tc)
Technologie：
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
15V, 20V
Vgs (Max)：
+23V, -7V
Boîtier：
22-PowerBSOP Module
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
49 nC @ 18 V
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-HDSOP-22
Tension Drain-Source (Vdss)：
840 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
22mOhm @ 36.7A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.6V @ 8.1mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1729 pF @ 500 V
