ISCH99N04NM7VATMA1
ISCH99N04NM7VATMA1
ISCH99N04NM7VATMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Tension Drain-Source (Vdss)：
40 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
85 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V, 15V
Boîtier：
8-PowerTDFN
Dissipation de puissance (Max)：
3W (Ta), 150W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-TDSON-8
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
4400 pF @ 20 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
40A (Ta), 284A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
0.9mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.15V @ 66µA
