IMZA120R026M2HXKSA1
IMZA120R026M2HXKSA1
IMZA120R026M2HXKSA1 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Statut de la pièce：
Active
Type de FET：
N-Channel
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
69A (Tc)
Boîtier：
TO-247-4
Technologie：
SiCFET (Silicon Carbide)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
60 nC @ 18 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
15V, 18V
Vgs (Max)：
+23V, -7V
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.1V @ 8.6mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1990 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (Max)：
289W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
34mOhm @ 27A, 18V
