IPP175N20NM6AKSA1
IPP175N20NM6AKSA1
IPP175N20NM6AKSA1 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Statut de la pièce：
Active
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Boîtier：
TO-220-3
Tension Drain-Source (Vdss)：
200 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
39 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 105µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
3100 pF @ 100 V
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-TO220-3-U04
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
15.5mOhm @ 38A, 15V
Dissipation de puissance (Max)：
3.8W (Ta), 203W (Tc)
