BSP170IATMA1
BSP170IATMA1
BSP170IATMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET：
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)：
60 V
Boîtier：
TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 270µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
13.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
550 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (Max)：
1.8W (Ta), 5W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-SOT223-4-U01
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
260mOhm @ 1.9A, 10V
