BSS131IXUSA1
BSS131IXUSA1
BSS131IXUSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)：
240 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.8V @ 56µA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
14Ohm @ 120mA, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
2.6 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
74 pF @ 120 V
Dissipation de puissance (Max)：
400mW (Ta), 440mW (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-SOT23-3-U03
