BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de FET：
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)：
60 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.7Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 34µA
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-SOT23-3-U03
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
320mA (Ta), 550mA (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
1.09 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
72 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (Max)：
400mW (Ta), 1.04W (Tc)
