IMCQ120R040M2HXTMA1
SIC DISCRETE
IMCQ120R040M2HXTMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
56A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200 V
Dissipation de puissance (Max)：
288W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
15V, 18V
Vgs (Max)：
+23V, -5V
Boîtier：
22-PowerBSOP Module
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.1V @ 5.5mA
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-HDSOP-22-3
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
42.4 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1660 pF @ 800 V
