IMDQ75R004M2HXTMA1
IMDQ75R004M2HXTMA1
IMDQ75R004M2HXTMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Technologie：
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
15V, 20V
Vgs (Max)：
+23V, -7V
Boîtier：
22-PowerBSOP Module
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-HDSOP-22
Tension Drain-Source (Vdss)：
840 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
357A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
3.2mOhm @ 170A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.6V @ 57.7mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
342 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
11844 pF @ 500 V
Dissipation de puissance (Max)：
1499W (Tc)
