IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Tension Drain-Source (Vdss)：
200 V
Boîtier：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)：
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V, 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
5500 pF @ 100 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8.7mOhm @ 62A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 186µA
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-TO263-3-U01
