IPF048N15NM6ATMA1
TRENCH >=100V
IPF048N15NM6ATMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Tension Drain-Source (Vdss)：
150 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
64 nC @ 10 V
Boîtier：
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-TO263-7-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
4700 pF @ 75 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 131µA
Dissipation de puissance (Max)：
3.8W (Ta), 234W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
8V, 15V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
18.4A (Ta), 146A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4.6mOhm @ 58A, 15V
