IPT60R024CM8XTMA1
IPT60R024CM8XTMA1
IPT60R024CM8XTMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)：
600 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
103A (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
122 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)：
543W (Tc)
Boîtier：
8-PowerSFN
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-HSOF-8-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 41.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.7V @ 1.06mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
5382 pF @ 400 V
