IPT60R160CM8XTMA1
IPT60R160CM8XTMA1
IPT60R160CM8XTMA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
18 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
19A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)：
600 V
Boîtier：
8-PowerSFN
Dissipation de puissance (Max)：
124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
160mOhm @ 6.3A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.7V @ 150µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
785 pF @ 400 V
