IPW65R018CM8XKSA1
IPW65R018CM8XKSA1
IPW65R018CM8XKSA1 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Statut de la pièce：
Active
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier：
TO-247-3
Dissipation de puissance (Max)：
521W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
116A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)：
650 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
173 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-TO247-3-U06
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.7V @ 1.48mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 55.6A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
8290 pF @ 400 V
