DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 25A
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
FET Caractéristique：
-
Technologie：
-
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max：
-
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
32.3mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 10mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
74nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
2200pF @ 800V
