FF1MR12MM1HPB11BPSA1
FF1MR12MM1HPB11BPSA1
FF1MR12MM1HPB11BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Boîtier：
Module
Puissance - Max：
-
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Fournisseur Dispositif Emballage：
AG-ECONOD
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 224mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
1600nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
48400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.91mOhm @ 500A, 18V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
470A (Tj)
