FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max：
-
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 20mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
149nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
4400pF @ 800V
Configuration：
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
