F411MR12W3M1HB11BPSA1
F411MR12W3M1HB11BPSA1
F411MR12W3M1HB11BPSA1 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Boîtier：
Module
Puissance - Max：
-
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
75A (Tj)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Configuration：
4 N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 30mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
223nC @ 18V
